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三星HBM4涨价:AI繁荣的真实代价

三星计划明年将HBM4价格翻倍,巩固其在AI芯片巨头面前的定价权。但这一涨势蔓延至通用DRAM领域,意味着普通消费者的手机成本也将受到影响。

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双重定价

三星正在谈判将明年的HBM4供应价格翻倍以上。不是20%,不是50%,而是超过100%。这在存储行业不是四舍五入的误差——这是主导权易主的结构性转变。

谈判将于本月进入最后阶段。三星已经锁定明年大部分核心客户的供应量:NVIDIA、博通,以及越来越多押注高带宽内存的AI加速器设计厂商。价格上涨由一个简单等式推动,而通用DRAM买家如今也感受到了另一边滋味:硅片不够分,而现有的硅片用于制造HBM比用于制造你手机里的商品级芯片更赚钱。

为什么你的手机成了买单者

HBM4并不用于智能手机。它存在于AI服务器中,垂直堆叠在GPU和定制加速器旁边。但HBM与通用DRAM共享同样的晶圆。当代工厂将一片12英寸晶圆送入产线时,每一块成为HBM的晶粒,都是一块无法成为LPDDR——你手机使用的移动内存——的晶粒。这就是AI对服务器内存的胃口如何变成你下一台设备价签的传导渠道。

高盛精准指出了这一机制:通用DRAM现货价格表现强劲,如果一片晶圆制造标准DRAM的收益高于制造HBM,经济逻辑就会反转。三星现在处于相反位置——HBM利润高得多,每一片晶圆都被拉向它。结果导致通用DRAM供应收紧,价格持续居高不下,反过来又给了三星进一步提价的理由。这是一个循环结构,正朝着有利于三星的方向运转。

TrendForce预测,通用DRAM合同价格在第四季度将上涨10%至15%,计入HBM后则上涨15%至20%。KB证券和TrendForce均预计明年HBM价格涨幅将超过100%,其中TrendForce给出的行业平均增幅为121%。

晶圆税

HBM4比其 predecessors 承担了更高的制造负担。基础晶粒现需采用4纳米逻辑制程,这消耗更多晶圆面积,也更复杂的制造步骤。每一代HBM使用的晶粒也更大,意味着每片晶圆的产出晶粒更少,单位成本更高。三星于2026年2月开始量产HBM4,明年开始大规模出货——但良率曲线和客户认证进度仍是不确定变量,可能削弱利润提升幅度。

一位半导体行业消息人士指出,虽然由于HBM和通用DRAM供应均紧张,三星在谈判中可能掌握主动权,但实际盈利影响将取决于HBM4良率稳定速度,以及客户对涨价的反制力度。

美光铺路

美光的动作不应被忽视。多份报告显示,美光已锁定2027年HBM产量,价格显著高于今年。这设定了市场基准。三星和SK海力士现有了一个清晰的参照点:价格底部已经上移,两家韩国存储厂商完全可以将自己的合同与新现实对齐,而非相互压价竞争。

这是存储周期的"亡羊补牢"教训。经历多年残酷价格战和利润率摧毁之后,主要DRAM生产商已学会通过市场稀缺性来协调,这比通过明示协议协调更有利可图。没人需要打电话沟通。他们只需盯着同一片晶圆短缺,然后一起涨价。

三星的份额蛋糕

HBM即将成为三星DRAM收入中大得多的板块。韩亚证券预计,在HBM4产能扩张推动下,HBM明年将占三星DRAM销售额的约15%。如果100%的涨价落地,这一份额可能膨胀至20%甚至30%。对于一家在与英特尔前存储业务剥离的挣扎中度过的公司,以及自身在前沿制程良率上屡遭挫折的公司而言,将如此大的比重押注在单一产品类别上,既是机遇也是风险。

SK海力士处于风口浪尖

SK海力士仍是HBM领域的既定领导者,尤其是NVIDIA旗舰GPU。但三星的定价攻势信号明确:这家公司不再愿意将利润空间拱手相让。如果三星能以具有竞争力的良率和认证速度交付HBM4,它在这些谈判中声称的定价主导权将转化为真实的市场份额增长——不仅是营收增长,更是能够重新排序存储格局的份额转移。

这种竞争动态之所以重要,是因为它决定了这些涨价是短暂的(由临时性短缺驱动,随着产能上线而缓解),还是结构性的(由晶圆产能永久性向HBM倾斜驱动,使通用DRAM长期紧张)。上述循环供需动态表明,后者更有可能发生——至少贯穿2027年。

接下来会发生什么

NVIDIA及其同行已经承诺了采购量。它们无法在设计周期中途轻易切换内存供应商,因为重新认证硬件需要数月时间。这赋予三星在这些谈判中一种结构性杠杆,很少有其他行业的供应商能拥有类似优势。

对于更广泛的市场,启示很直接:AI服务器成本将上升,随着晶圆产能向HBM倾斜,通用DRAM价格将保持高位,而那些在下游拥有最强定价权的公司将最能吸收或转嫁这些成本。智能手机制造商处于这一等式的弱势一方。

三星在2026年初起步,试图证明自己在HBM领域能与SK海力士竞争。而通过谈判如此幅度的涨价,它正在做一件更有深远意义的事:证明它能 dictate 条款。