La apuesta de Samsung con High-NA podría voltear el orden de jerarquía en chips de memoria
El objetivo de Samsung de desplegar litografía High-NA EUV para DRAM antes de 2028 lo coloca por delante del cronograma de TSMC de 2030 y desafía la ventaja temprana de Intel, remodelando la jerarquía competitiva de la fabricación de chips de próxima generación.