中国4F² DRAM推进威胁三星内存主导地位

震撼首尔的 4F² 信号

6 月 9 日至 10 日，长鑫存储（CXMT）首席执行官曹可宇在上海登台，他并未宣布新建晶圆厂或重大融资轮次，而是披露了一项规模更小却影响深远的消息：称其公司已在实施 4F² DRAM 存储单元架构方面取得“核心进展”，并预计年底前推出服务器级 DDR5 RDIMM 产品。

韩国市场的反应立刻而猛烈。6 月 13 日，三星电子股价暴跌 7.39%。SK 海力士跌幅更深——达 10.09%。市场反应的并非一款可出货的产品，而是一个信号。

DRAM 存储单元的尺寸长期以来以 F² 为单位进行衡量——其中 F 是光刻工艺的关键尺寸。6F² 单元占据的面积是该特征尺寸平方的六倍。将其压缩至 4F² 绝非仅削减几个百分点的优化，而是将每个单元的占地面积缩减至 6F² 要求的约三分之一。

这并非渐进式改进，而是结构性飞跃。每片晶圆上的单元数量更多，意味着单位面积的良率更高、单比特成本更低，在利润空间本就极其微薄的存储行业中形成显著优势。

对于支撑 AI 训练集群和云基础设施的高利润服务器内存而言，这一点尤为关键。DDR5 RDIMM 是数据中心的核心主力。在此获得成本优势，将直接转化为与三星和 SK 海力士等老牌巨头争夺采购份额的筹码——这些企业已在该领域掌控超过十年。

考虑到设备缺口，长鑫存储的这一声明更添挑衅意味。美国已限制中国获取阿斯麦（ASML）的极紫外（EUV）光刻设备——正是这些设备使 7 纳米以下存储芯片制造在经济上成为可能。没有 EUV，长鑫存储据称正追逐一种传统上依赖 EUV 的存储单元架构。

行业分析师仍深感怀疑。良率是存储生产的命脉，历史表明，缺乏最先进的光刻设备，长鑫存储将在良率提升上遭遇困难。韩国媒体上有几位专家称这种担忧过度了。

但完全否定长鑫存储将是错误判断。中国存储制造商多年来已掌握多种替代工艺路径——包括深紫外（DUV）多重曝光、先进蚀刻技巧以及激进的工艺优化。问题不在于长鑫存储能否复制三星的确切制造路线，而在于它能否比外界预期的更快达到具有商业可行性的最低良率。

最令人不安的细节或许来自三星电子首席技术官宋在燮（Song Jae-hyuk）。6 月 14 日在首尔举行的 SEDEX 2026 大会上，当被直接问及三星是否也在开发 4F² 技术时，他没有回避。“是的，”他回答。在被追问何时就绪时，他只表示：“我们正在努力推进。”

值得注意的是，他没有给出任何时间表，没有量产目标，也没有良率数据。这种沉默耐人寻味。

SK 海力士稍显透明。在 2025 年 6 月的 IEEE VLSI 研讨会上，其首席技术官车宣镕（Cha Sun-yong）曾表示，公司正在为 10 纳米以下节点准备“4F² 方形 VG 平台”和 3D DRAM 技术。但同样，没有附带任何商业化日期。

两家韩国巨头都在追求 4F²。但长鑫存储声称今年即可出货产品。赢得叙事优势、推动股价变动的，是掌握节奏的那家公司。

4F² 之争不止是一场关于服务器内存价格的较量，更是更广泛半导体冷战中的一场代理战争。

如果长鑫存储借助非 EUV 路线在 4F² DRAM 领域取得任何接近商业化的成功，它将验证中国在制裁下追求技术自主的战略——这是北京多年来通过国家主导的研发计划和大基金投资载体不断投入的路线图。这也将证明，出口管制虽带来痛苦，却无法构成全面封锁。

对三星和 SK 海力士而言， stakes 以另一种方式触及生存根本。内存是其核心业务，服务器 DRAM 则是受 AI 需求推动增长最快的细分领域。哪怕中国竞争对手仅占据三星在高密度内存市场份额的一小部分，也将压缩整体利润空间，迫使企业做出痛苦的资本支出决策。

以下几种结果皆有可能，而没有任何一种会令首尔安枕无忧。

如果长鑫存储能在 2026 年底交付功能正常的 4F² DDR5 RDIMM——或至少通过验证的原型——年轻的数据中心买家将会进行测试。供应链多元化已是众多 OEM 的首要任务，他们担忧过度依赖韩国产能的风险。即便长鑫存储在服务器 DRAM 市场仅斩获 5% 的份额，也将成为一道心理里程碑。

三星很可能会以激进定价和加速的 4F² 路线图进行回应。但它无法仅凭砸钱压制一家由主权财富机制补贴的竞争对手——后者拥有近乎无限的资本，且不受利润时间表的约束。

最可能出现的情景是缓慢拉锯：长鑫存储在良率上挣扎，小批量出货，并面临需要大规模可靠性的客户的审视。但方向已然清晰。韩中存储制造商之间的差距正在缩小——并非因为中国已超越三星，而是因为下一代 DRAM 架构的进入门槛正在发生转移。

6 月 13 日的股价下跌，不仅关乎一家中国公司的声明。它们反映的是市场开始意识到，存储半导体竞争规则正在改变。三星和 SK 海力士凭借工艺优势与 EUV 准入权建立起霸主地位。长鑫存储的 4F² 声明暗示，或许还存在另一条路径——一条制裁无法完全封堵的道路。

这条路径尚未经证实，良率也充满不确定性。但就连三星自己的首席技术官都在公开活动中被迫确认正在积极研发，且未提供任何反向叙事——这一事实本身就说明竞争格局已发生改变。

未来十二个月将决定 4F² 究竟是纸上里程碑，还是真正撼动市场的技术。对于市值千亿美元的 DRAM 行业而言，时钟已经敲响。